名 称：铬
符 号：Cr
原子量：51.9961
熔 点：1907℃
沸 点：2671℃
密 度：7.19g/cm3
高纯铬靶经磁控溅射为基体镀膜具有耐磨、抗腐蚀、生物兼容性好、溅射覆着力强、导热导电性能优越等特点，可广泛用于半导体、芯片、精密电子产品、显示屏以及光学材料镀膜。
我公司可提供脱氧脱气高纯铬粉，并且经过热等静压及机械加工成块状、片状、棒状等各种铬靶，3N5高纯钯颗粒 钯粒 钯块，具有纯度高、密度高、组织结构优良、使用寿命长四大特点。
高纯铬 Cr 2N5 3N5 靶材 根据要求定制
高纯铬 Cr 3N5 4N 粉末 -200目
高纯铬 Cr 3N5 4N 片状 不规则片状
高纯铬 Cr 3N5颗粒 3-5mm
我公司可提供铬合金如铝铬合金，供应高纯4N钯靶及高纯钯颗粒，钴铬钨合金等。还可以提供氧化铬粉末，生产订购高纯钯颗粒 加工定制，蒸发膜料及靶材合金及化合物
铬铝合金 AlCr 3N 靶材 颗粒
铝铬钇合金 AlCrY 3N 靶材
钴铬钨合金 CoCrW 3N 靶材
氧化铬 Cr2O3 4N 靶材 颗粒 粉末
名 称：钛
符 号：Ti
原子量：47.88
熔 点：1668℃
沸 点：3277℃
密 度：4.506g/cm3
高纯钛是指纯度在4N以上的金属钛，主要制备方法有：碘化法，熔盐电解法，电子束熔炼法，电子束区熔法等。
高纯钛主要用于半导体材料，溅射靶材，合金材料及***真空装置中的吸气材料。
我公司可提供4N5，5N高纯钛，采用美国进口原料。主要用于生产高纯度溅射靶材和金属颗粒，用于高纯度合金熔炼，蒸发镀膜等领域。
高纯钛靶材 高纯钛粉末 高纯钛颗粒 高纯钛棒状 高纯钛丝状 高纯钛片状
我们可提供钛氧化物，高纯钯，氮化物及其他化合物靶材，粉末等。
溅射靶材：二氧化钛靶材，氮化钛靶材，钛酸锶晶体靶材，钛酸钡靶材等
光学镀膜材料：二氧化钛颗粒，五氧化三钛晶体颗粒等化合物及合金氧化钛TiO2
氮化钛TiN 硼化钛TiB2 钛酸锶SrTiO3 钛酸钡BaTiO3 钛铝合金Ti-Al 钛硅合金 钛钨合金
名 称：锗
符 号：Ge
原子量：72.61
熔 点：937.2℃
沸 点：2830℃
密 度：5.32g/cm3
锗为银灰色晶体，室温下晶体锗质脆；有明显的非金属性质。高纯单晶锗是制造晶体管和红外器件，光纤，太阳能电池的半导体材料。
高纯锗 Ge 5N 6N 靶材 根据要求定制
高纯锗 Ge 5N 粉末 -60目
高纯锗 Ge 5N 6N 颗粒 1-6mm
高纯锗 Ge 5N 6N 柱状 φ3-50mm
高纯锗合金在半导体行业有着非常重要的应用，我们可以提供金锗合金，金锗镍合金用于蒸发电极等方面，也可以提供锗的化合物：氧化锗，碲化锗合金及化合物
二氧化锗 GeO2 5N 6N 粉末 颗粒
金锗合金 AuGe12 4N 靶材 片状
金锗镍合金 AuGeNi 4N 靶材 片状
碲化锗 GeTe 4N 靶材
